韩媒：SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm

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随着人工智能(AI)和深度学习技术的快速发展，对高性能计算的需求日益增加。近日，据韩媒报道称，在下一代高带宽内存上，SK海力士将计划在HBM4内存中采用台积电的3nm工艺来制造基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。 这一举措旨在提升AI半导体的运行效率，并支持客户定制电路，从而进一步增强HBM4内存的性能和功能。 据悉，SK海力士标准款HBM4将继续采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则从5nm升级至3nm。此前，SK海力士在定制HBM4上采用5纳米，若升级至更先进的3nm工艺，基础裸片有望提升20%~30%的性能。这种工艺选择使得SK海力士能够根据不同客户的需求提供定制化的解决方案。 SK海力士在HBM4上将对基础裸片的称呼已经从DRAM Base Die调整为Logic Base Die，强调了基础裸片愈发重要的逻辑功能。这意味着HBM4时代的基础裸片将全面转向逻辑半 ………………………………