主要观点总结
本文介绍了压电换能技术及其应用领域，重点介绍了半赫斯勒（half-Heusler）窄带半导体材料的压电效应。浙江大学朱铁军教授团队首次观察到TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三种半赫斯勒材料的压电效应，并制备了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型压电器件。该工作得到了国家重点研发计划等多项资助，并介绍了研理云服务器的业务介绍和产品特色。
关键观点总结
关键观点1: 半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应研究取得进展
浙江大学朱铁军教授团队首次观察到三种半赫斯勒材料的压电效应，并制备了原型压电器件，为半赫斯勒材料在压电领域的应用提供了可能。
关键观点2: 半赫斯勒材料的压电效应机制可能不同于传统压电材料
窄带半导体的压电效应机制起源可能不同于离子位移型的传统压电材料，该实验发现可能为新型压电材料设计及换能技术提供新的思路。
关键观点3: 半赫斯勒窄带半导体材料在多功能效应协同的电子器件中的应用前景
由于半赫斯勒材料具有显著的光电、热电等效应，为开发压电-光电、压电-热电等多功能效应协同的电子器件提供了新的可能。
关键观点4: 研理云服务器介绍
介绍了研理云服务器的高性能计算解决方案、配置多样、完善的售后服务等特点，以及已购买客户咨询和赠送课程学习机会等特色服务。
文章预览
压电换能技术可实现机械能与电能之间的直接转换，广泛应用于传感、声学、成像、驱动和能量采集等领域。以往压电材料的研究主要集中于具有宽禁带（ E g > 2.0 eV）和低电导率的陶瓷或单晶材料中。与之相对，窄禁带（ E g < 1.0 eV）半导体材料通常具有较高电导率，这不利于有效电荷积累形成稳定电压响应。因此，窄禁带半导体材料的压电效应鲜有实验研究。 半赫斯勒 （ half-Heusler ） 材料是一个家族成员众多、电子结构丰富的材料体系，在热电、磁性、拓扑绝缘体、自旋电子、超导、催化等领域受到了广泛关注。2012年，美国科学院院士David Vanderbilt与同事通过第一性原理计算预言半赫斯勒窄带半导体材料具有压电潜力，并提出通过生长高质量单晶有望从实验上测出该体系的压电系数[Phys. Rev. Lett.109, 037602 (2012)]。过去十余年，陆续有理论计算工
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