650V Gen.7 IGBT “V”系列产品介绍

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新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。 新洁能Gen.7 IGBT系列产品为匹配不同应用需求，开发了不同参数特点的产品系列，今天要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。 以650V 40A(NCE40ED65VT)规格为例，该产品是一款650V、TO-247封装、100℃下额定电流40A的产品。与常见的相近规格产品进行实测对比， 详细数据如下： 从测试数据来看，NCE40ED65VT的正向导通压降和二极管续流压降都具有优势，无论是在正向导通还是续流时都具备更小的器件损耗，并且具备与同规格竞品相近的开关损耗 ………………………………