2024,ACS Nano——从200℃到550℃！h-BN保护层带来MoS₂场效应晶体管新革命

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.3c13220             摘要 在航空航天等多个领域，对具备优异柔性、高集成度（纳米级晶体管）及低功耗的耐高温集成电路需求迫切。与传统的SiC高温晶体管相比，基于二维（2D）MoS₂的晶体管在柔性、原子尺度及超低功耗方面具有优势。 然而，MoS₂在高温下无法存活，且在超过200℃时性能急剧下降。 在此，我们报道了具有顶部/底部六方氮化硼（h-BN）封装和石墨烯电极的MoS₂场效应晶体管（FETs）。在h-BN/h-BN结构的保护下，器件能够在比以往报道的MoS₂器件更高的温度（≥500°C）下存活，这为探索MoS₂器件在高温下的电学性能及工作机制提供了机会。 与较低温度情况不同，MoS₂ FETs的开关比和亚阈值摆幅在高温下发生了显著变化，原因是热发射载流子的注入。与金属电极相比，石墨烯电极的器件在高 ………………………………