【MEMS工艺】FinFET工艺制造流程详解

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FinFET的制造流程与传统平面CMOS工艺存在显著差异，核心在于三维Fin结构的形成与高精度工艺控制。以下以主流的Bulk FinFET工艺为例，结合5nm及以下先进节点的技术演进，详细拆解关键步骤及技术细节： 希望常见面的话，点击上方即刻关注，设为星标！  1. 衬底准备与初始结构     衬底选择 ：采用轻掺杂p型硅（电阻率1-10 Ω·cm），或应变硅（SSOI）以提升迁移率。     缓冲层生长 ：通过热氧化生成1-2nm SiO₂界面层，降低后续刻蚀对硅衬底的损伤。     硬掩模沉积 ：       材料选择 ：双层堆叠结构（如SiO₂/SiNx，厚度20nm/50nm），用于后续Fin图案转移。       沉积工艺 ：低压化学气相沉积（LPCVD）确保膜厚均匀性（±1%）。 2. Fin结构成形   (关键技术：多重图形化与高深宽比刻蚀)     光刻与SADP/SAQP ：       光刻胶涂布 ：采用旋涂工艺形成厚度80-10 ………………………………