光刻机，国产任重道远，零组件长期受益

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光刻技术经过不断地技术迭代已经达到了以浸没式、多重曝光技术为主的先进光刻技术环节，芯片的制程技术达到了3nm以下。 光刻是半导体生产过程中最重要的步骤之一，典型的光刻工艺流程包括8个步骤，分别是底膜准备、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘、显影、坚膜、显影检测。在光刻机的发展历史中，光刻技术经历了接触/接近式光刻机、扫描投影光刻机、步进重复式光刻机到现在的步进扫描光刻机的发展历程，现阶段主流技术为步进扫描光刻机，其余技术基本已经被淘汰了。主流的光刻机均采用浸没系统、可编程光照、畸变修正、热效应修正、对准与表面测量等高难度技术。 光刻机可通过多重曝光来提高光刻精度，但是当制程节点达到3nm以下时，EUV光刻机则成为了必需的设备。光刻机重要结构包括光源系统、光学镜头、工作台，其中光源 ………………………………