新品来袭 | 500V-800V 平面栅VDMOS，自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强！

主要观点总结

本文介绍了平面栅VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）的详细结构、工作原理及其产品特点。VDMOS是特殊类型的MOSFET，用于功率电子应用。它结合了平面栅和垂直扩散技术以提高功率处理能力和开关效率。文章还涉及萨瑞微电子公司提供的平面栅VDMOS产品的优势、应用领域以及公司概况。

关键观点总结

关键观点1: 平面栅VDMOS的结构特点

采用垂直结构，与传统平面MOSFET不同；通过双重扩散工艺形成源极和漏极区域；使用平面栅设计，有助于控制沟道的导电性。

关键观点2: 平面栅VDMOS的工作原理

当栅极电压高于阈值电压时，形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极；垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。

关键观点3: 萨瑞微电子的平面栅VDMOS产品优势

采用业界优良平面技术、独特器件设计和自有封装优势；具有高雪崩耐量、良好EMI兼容性和强抗冲击能力。

关键观点4: 萨瑞微电子公司概况

是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业；拥有年产100万片晶圆和年产300亿只分立器件的产能；产品广泛应用于多个领域，是国内外一线品牌客户的首选供应商。

文章预览

平面栅VDMOS 详细介绍 平面栅VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅（Planar Gate）和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。 结构特点 Structural characteristics 垂直结构： 与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。 双重扩散（Double-Diffused）： VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。 平面栅（Planar Gate）： 栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。 沟道（Channel）： 栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于 ………………………………