Nano Letters | 利用可控生长星形MoS₂的具有特定位置的晶界提升忆阻器性能!

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点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 随着计算技术的不断进步，人们对集成计算和存储的设备的需求日益增长。忆阻器作为一种很有希望的器件，由于能够集成计算和存储，且可用于创建一种新的计算范式，因而备受科学界和工业界的关注。二维材料，特别是以MoS 2 为代表的过渡金属硫族化合物（TMDs），因其极薄的厚度和独特的异质集成能力，可以作为集成计算和存储的忆阻切换器件的高潜力平台。在TMDs中的各种微纳米尺度缺陷结构中，晶界（GBs）作为最重要的结构之一，具有巨大的潜力，但由于它们的随机分布，这给晶界基器件的制作和深入研究带来了挑战。然而，晶界的随机和形成的不可控性给器件的制作带来了挑战。因此，实现具有特定位置晶界的TMDs材料对于阐示晶界与器件性能之间的关系至关重要。另外，晶界在二维材料 ………………………………