中韩合作开发碲基非晶p型半导体器件

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科情智库 据Nature期刊网站报道，4月10日，电子科技大学刘奥教授和韩国浦项科技大学Yong-Young Hoh教授研究团队突破性地研制出一种基于硒（Se）合金化处理的碲氧化物（TeOx）非晶p型半导体，有望用于制造低成本、高性能的新型电子器件。相关研究成果以“Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors”为题发表在《Nature》期刊上。 非晶体半导体材料具有成本低、易加工、稳定性高和大面积制造均匀等优点，但传统的非晶氢化硅电学性能不足，急需探索新型非晶体半导体材料。然而，目前开发出的新型非晶体半导体材料难以实现有效的p型掺杂，使得学界普遍认为实现高性能非晶p型半导体“几乎不可能”。对此，研究团队提出了一种新颖的碲氧化物基非晶p型半导体，采用工业制程兼容的热蒸镀工艺制备出薄膜，并证实其可用于制造高性能、稳 ………………………………