新书上架《碳化硅功率模块设计——先进性、鲁棒性和可靠性》（日本）

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来源：创芯大讲堂 ◆图书简介◆ 《碳化硅功率模块设计——先进性、鲁棒性和可靠性》详细介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。本书是半导体学术界和工业界研究人员和专家的宝贵参考资料。 扫描右上侧二维码读书 ◆ 目录：◆ 前言 第1章　SiC MOSFET功率器件及其应用1 1.1　电力电子中的半导体器件1 1.1.1　基本性能1 1.1.2　热学性能2 1.1.3　SiC与Si对比3 1.1.4　SiC MOSFET功率器件3 ………………………………