想提高高压LED照明中的效率和功率密度？上GaN技术！

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  文章 概述    本文介绍了 宽带隙（ GaN ）技术在高压 LED照明 中的应用，以及如何解决效率和功率密度挑战。文章重点讨论了利用GaN技术的LED驱动器架构的降压部分，展示了如何通过宽带隙技术提高效率和功率密度。文中还介绍了STMicroelectronics的MasterGaN系列，该系列将高电压智能功率BCD工艺栅极驱动器与高电压GaN晶体管结合，简化了设计并提高了功率密度。 事实证明， 高压LED照明可以有效地取代高强度放电 (HID) 照明等先前技术。随着高压 LED照明得到采用，许多制造商争相生产并在各种应用中进行实施。虽然这种技术在光的质量和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成为一个有待解决的 重要问题。另外，早期应用的故障率远高于预期。 高压 LED照明面临的主要挑战是继续提高功率密度和效率，并提升可靠性和经济性，以满足未来应用需求。 ………………………………