【期刊】华师大田博博/朱秋香等综述：新一代新型铁电材料AlScN薄膜

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研究背景 铁电体可通过外部电场编程出非易失极化态，在非易失存储器(NVM)和存算一体领域展示出巨大的潜力。然而，钙钛矿铁电体的CMOS兼容性差和多相共存的铪基铁电体在尺寸缩放后性能不均匀等一直是阻碍铁电器件实际应用的棘手问题。而新兴的AlScN铁电体具有CMOS后端兼容性、可持续微缩、本征且稳定的铁电相等优点，这促使研究人员对其物理性质进行了广泛的探索。 New-Generation Ferroelectric AlScN Materials Yalong Zhang, Qiuxiang Zhu*, Bobo Tian*, Chungang Duan Nano-Micro Letters (2024)16: 227 https://doi.org/10.1007/s40820-024-01441-1 本文亮点 1. 讨论了新兴铁电AlScN薄膜的 铁电性 和 畴动力学 。 2.  综合分析了不同 沉积工艺 生长的铁电AlScN薄膜及其性能优化策略。 3.   总结了基于AlScN的存储器的 商业途径 和 存内计算 应用方面的挑战和前景。 内容简介 铁电AlScN具有CMOS后端兼 ………………………………