业内首颗！国产 1.8 亿像素相机全画幅 CMOS 图像传感器成功试产

主要观点总结

晶合集成与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅CIS，为高端单反相机提供更多选择。该产品采用光刻拼接技术，成功突破单个芯片尺寸限制，具备高帧率、超高动态范围等性能，可兼容不同光学镜头。晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务，而思特威则是一家CMOS图像传感器芯片产品研发、设计和销售的高新技术企业。

关键观点总结

关键观点1: 晶合集成与思特威联合推出1.8亿像素全画幅CIS

这款CIS图像传感器为高端单反相机提供了更多选择，通过光刻拼接技术突破单个芯片尺寸限制。

关键观点2: 光刻拼接技术的成功应用

晶合集成和思特威成功应用光刻拼接技术，确保芯片在纳米级制造工艺中的电学性能和光学性能的连贯一致性。

关键观点3: 产品性能特点

该CIS具备高帧率、超高动态范围等性能，可兼容不同光学镜头，提升了在终端灵活应用的适配能力。

关键观点4: 晶合集成的背景与成就

晶合集成是安徽省首家12英寸晶圆代工企业，专注于半导体晶圆生产代工服务，并已实现多款产品的量产。

关键观点5: 思特威的技术背景

思特威是一家CMOS图像传感器芯片产品研发、设计和销售的高新技术企业，其产品已覆盖多场景应用领域的需求。

文章预览

IT之家 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。 ▲ 产品图，图源晶合集成，下同 据介绍，为满足 8K 高清化的产业要求，高性能 CIS 的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。 ▲ 拍摄样图 晶合集成在官宣公告中称，首颗 1.8 亿像素全画幅 CIS 的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开 ………………………………