研究前沿：哈工大（深圳）/复旦大学-二维半导体MgNb2O6 | Nature Electronics

文章预览

基于二维半导体的集成电路，需要超薄的栅极绝缘体，以提供较高的界面质量和介电可靠性、最小化的电活陷阱和有效的栅极可控性。然而，现有的二维绝缘体，在带隙、击穿强度、介电常数、漏电流和偏置温度稳定性方面，还不能提供良好的折衷。 今日，哈尔滨工业大学（深圳）秦敬凯和徐成彦团队联合香港理工大学柴扬和复旦大学王竞立团队，在Nature Electronics上发文，报道了铌酸镁 (MgNb2O6)单晶，并在云母衬底上，缓冲控制外延生长过程制备了 原子级薄MgNb2O6晶体，具有宽的带隙（约5.0eV）、高的介电常数（约20）、大的击穿电压（约16mVcm-1）和良好的热可靠性。 MgNb2O6可与单层二硫化钼（MoS2）形成具有极低陷阱态密度的范德华界面。采用MgNb2O6栅介质的MoS2场效应晶体管，在0.9mV（mVcm-1）-1时，表现出了磁滞hysteresis现象，亚阈值摆幅为62mVdec-1，开/ ………………………………