美光MRDIMM正式送样：带宽提升39%，延迟降低40%！

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近日，DRAM大厂美光宣布，其多重存取双列直插式内存模组 （multiplexed rank dual inline memory module， MRDIMM） 开始送样，让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥其计算基础设施中获得最大价值。 美光科技表示，针对内存需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光MRDIMM的性能优于目前的硅通孔型（TSV）RDIMM，达到最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，从而加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。当前开始送样的内存产品是美光MRDIMM系列的第一代产品，可以与Intel Xeon 6处理器兼容。 MRDIMM 技术采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的内存，每核心的带宽与容量双双提升，为未来计算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益成长的需求。与RDIMM相比，MRDIMM具有以下优势，包括内存有效带宽提升多达39%、 ………………………………