三星平泽P4一期将转为同时生产DRAM和NAND

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根据韩国媒体ZDNET Korea的报导称，韩国三星电子内部已经于第三季度决定调整平泽园区P4产线第一期（Phase 1）的产能分配，即从单纯的生产NAND Flash，调整为生产NAND Flash + DRAM，以应对市场需求变化。 报道称，三星电子这次的产能改变可由该产线的内部代号名称更改中看出来，原本该产线定名为“P4F”，末尾的“F”即指NAND Flash。但如今现在的名称已经更改为“P4H”，“H”是Hybrid混合的简写，显示产线将同时生产NAND Flash和DRAM。 事实上，三星电子平泽园区P4产线第一期现已部分进驻NAND Flash生产设备，三星电子目前计划到年底前将该产线NAND Flash的生产能力提升至每月1万片晶圆。不过，由于市场的不确定性，到2025年中才有可能为V9 QLC NAND先进产品的进一步投资规划。 而在DRAM生产部分，平泽园区P4产线第一期未来预计将具备3~4万片晶圆的月产能，制程方 ………………………………