【期刊】二维范德华异质结中的锂嵌入路径调控助力高性能浮栅存储与人工突触器件 | 华中科技大学翟天佑教授团队InfoMat

文章预览

摘  要 近期，为了控制二维范德华异质结中的Li嵌入路径， 华中科技大学材料科学与工程学院的翟天佑教授 团队开发了一种由表面渗透驱动的Li嵌入诱导相变方法，在二维MoS 2 的表面引入表面等离子体处理，促进锂离子从表面向底层的扩散和相变，改善相变接触界面质量，使制备的边缘接触型场效应晶体管的亚阈值摆幅（SS）从~600 mV dec –1 降至~100 mV dec –1 。将该方法应用于范德华异质结型二维浮栅型晶体管存储器的制备，实现了可在10 ns的脉宽内超快编程、可记忆多比特状态的存储器件原型。 文章简介 二维半导体材料是发展下一代低功耗电子器件的理想载体。边缘型金属接触是一种适用于二维半导体材料和器件的新接触策略，通过在二维材料的侧边缘形成金属-半导体接触，有助于抑制传统表面接触模式下的界面缺陷和金属诱导带间态（MIGS） ………………………………