国产光刻机突破28nm了吗？

主要观点总结

本文围绕国产光刻机技术指标分析展开，介绍了工信部文件提到的国产光刻机技术指标及其代表的意义。文章提及了光刻机的不同类型和对应的核心技术，如KrF和ArF干式光刻机，以及通过公式解释了光刻机光源波长、数值孔径和K1系数对分辨率的影响。文章还提到了浸没式光刻机的原理和存在的挑战，以及通过多重曝光提高分辨率的方法。最后指出了国产光刻机在套刻精度上的挑战和未来需要解决的问题。

关键观点总结

关键观点1: 文章概述了国产光刻机的技术指标及其意义。

文章提到了工信部文件关于国产光刻机的通知，并解释了其重要性。

关键观点2: 文章介绍了光刻机的类型和核心技术。

文章详细解释了KrF和ArF干式光刻机的特点，并通过公式说明了光源波长、数值孔径和K1系数对分辨率的影响。

关键观点3: 文章讨论了浸没式光刻机的原理和面临的挑战。

文章介绍了浸没式光刻机的工作原理，以及其在工程实现上所面临的挑战，包括消除超纯水中的气泡、解决液体表面不均匀的问题等。

关键观点4: 文章探讨了通过多重曝光提高分辨率的方法。

文章解释了多重曝光的工作原理，并指出了其在提高分辨率方面的优势以及存在的问题和挑战。

关键观点5: 文章指出了国产光刻机在套刻精度上的挑战和未来需要解决的问题。

文章强调了套刻精度在多重曝光中的重要性，并指出了国产光刻机在套刻精度上的现状和未来的挑战。

文章预览

“芯事重重”半导体产业研究策划，本期为61期，聚焦国产光刻机技术指标分析，未经授权，请勿转载。 作者丨 Leslie Wu(公众号：梓豪谈芯) 编辑 | 苏扬 工信部的一份文件，再次将国产光刻机研发推入公众视线。 9月9日，工信部旗下账号“工信微报”披露了工信部于9月2日签发的关于引发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》的通知文件（如下图）。 通知文件的“电子专用装备”的第一项即“集成电路生产装备”，其中明确提到氟化氪（KrF）光刻机和氟化氩（ArF）光刻机的技术指标， 尤其是氟化氩光刻机，文件标明其波长为193nm、分辨率≤65nm、套刻≤8nm， 这也被外界理解为国产DUV光刻机取得重大突破，甚至传出了国产DUV光刻机突破8nm工艺的说法。 那么，工信部的这份通知，提及的国产光刻机技术指标到底代表什么？ 由于出口 ………………………………