北大/南大合作，Nature Nanotechnology！

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第一作者：Jingyue Wang, Junwei Huang, Daniel Kaplan, Xuehan Zhou, Congwei Tan 通讯作者：Binghai Yan, Hongtao Yuan, Hailin Peng 通讯单位：以色列魏茨曼科学研究所，南京大学，北京大学 DOI： https://doi.org/10.1038/s41565-024-01732-z     研究背景 在高磁场下，量子霍尔系统通常同时存在偶数和奇数的量子化状态，这是因为能带简并被解除了。选择性控制这些量子化状态是具有挑战性的，但对于理解奇异基态和操纵自旋纹理至关重要。     本文亮点 本文展示了在Bi 2 O 2 Se薄膜中的量子霍尔效应。在高达50T的磁场中，本文只观察到偶数的量子霍尔态，但没有奇数态的迹象。然而，当将外延生长的Bi 2 O 2 Se薄膜的厚度减少到单晶胞（one-unit-cell）时，本文在这种生长在SrTiO 3 上的Janus薄膜中观察到了奇数和偶数状态。通过基于Bi 2 O 2 Se薄膜从头算起的能带结构的Rashba双层模型，可以将较 ………………………………