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👆如果您希望可以时常见面,欢迎标星🌟收藏哦~ 来源:内容来自semiengineering,谢谢。 半导体行业研究人员长期以来一直预测需要更好的晶体管通道材料来取代硅,但硅器件的持续改进足以推迟这种变化。 硅继续提供无与伦比的器件性能、可制造性和成本效益组合。然而,近年来,“硅通道的终结”变得越来越可能。晶体管需要更薄的通道来保持足够的静电控制,但随着厚度降至 3 纳米以下,表面散射会导致通道电阻急剧增加。 二维半导体似乎是最有可能的替代方案。它们没有平面外的悬空键,从而最大限度地减少了表面散射。特别是过渡金属二硫属化物 (TMD),它形成的晶体中夹有钨或钼等过渡金属,夹在硫、硒或其他硫属元素层之间。过去几年,TMD 在实验室中取得了重大进展,但在材料生长、集成和制造方面仍面临重大障碍。 当然,硅通道
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