主要观点总结
本文介绍了电子科技大学邓龙江院士/彭波教授团队与新加坡高性能计算研究院张刚教授合作在Advanced Materials期刊上发表的研究，该研究发现可在CrI3同质三层结构中实验性地证明可控的巨大交换偏置效应。该研究通过电场控制和层间交换耦合产生EB效应，具有可切换和可逆的特性，为未来的自旋电子和存储器件使用2D铁磁/反铁磁材料铺平了道路。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景与意义
交换偏置（EB）在自旋电子器件和磁存储器中有关键作用。电场控制磁性是人们追求的目标。研究通过电场控制FM和AFM磁序之间的界面交换耦合为电场操控EB效应提供了一种途径。
关键观点2: 研究成果介绍
邓龙江院士/彭波教授团队和张刚教授合作在Advanced Materials期刊上发表了关于CrI3同质三层结构的研究，该研究实现了电场控制下的巨大交换偏置效应。该结构由FM单层和AFM双层CrI3组成，表现出强的直接耦合，消除了传统限制。
关键观点3: 研究方法和实验证据
该研究通过构建同质三层CrI3结构，利用FM和AFM磁性的层间交换耦合产生EB效应。实验证据包括RMCD信号、电驱动磁序翻转示意图等。
关键观点4: 研究成果展望
该研究为使用2D铁磁/反铁磁材料的未来自旋电子和存储器件铺平了道路。计算结果揭示了掺杂和电场对CrI3结构的影响，实现了巨大的交换偏置效应。这显著降低了功耗，增加了非易失性功能，为突破传统计算架构中的内存墙瓶颈开辟了道路。
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