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（本文编译自Semiconductor Engineering） 三大晶圆代工厂计划最早在2025年为18A一代实施高NA EUV光刻技术，但用标准EUV（NA=0.33）的双重曝光技术取代单次曝光高NA（0.55），取决于其是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。 到目前为止，对于高数值孔径EUV光刻技术而言，2024年是标志性的一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径EUV光刻机。英特尔、imec、ASML、IBM以及即将加入的台积电正在努力加强光刻胶堆栈、EUV掩模技术和新光刻机的首批工艺。 今年2月份，imec宣布使用化学放大光刻胶解决了16nm线和空间问题，并使用金属氧化物光刻胶和高数值孔径图案化解决了10nm特征问题（见图1）。 图1：高NA EUV光刻机使用化学放大光刻胶(CAR)打印16nm特征，但能够使用金属氧化物光刻胶(MOR)解析10nm特征。 （图源：imec） 在今年的Semicon West和imec技术论坛上，来
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