瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产

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近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子 第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式 量产 ，后续将依托 浙 江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂 推出更多第三代SiC MOSFET产品。 瞻芯电子的第三代1200V 13.5 mΩ  SiC MOSFET，现有3款产品： IV3Q12013T4Z ， IV3Q12013BA ， IV3Q12013BD ， 主要用于车载电驱动系 统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性 第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。 同时在核心指标上， 第三代产品 在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm ² ， 达到国际第一梯队的水平。同时，第三代 ………………………………