新品推荐 | 工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B（半桥）和Pcore™4 E1B（H桥）

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Pcore™2 E1B /Pcore™4 E1B 1200/650V E1B封装工业级碳化硅功率模块 为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体开发推出了 工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B 。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si 3 N 4 ）AMB基板等技术，在 比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化 等方面表现出色，可应用于 大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器 等领域。  产品拓扑  产品特点 高晶圆可靠性 新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的R DS(on) 退化。 优异抗噪特性 宽栅-源电压范围（V GSS : -10V~+25V），及更高阈值电压（V GS(th).typ = 4.0V），便于栅极驱动设计。 高热性能及高封装可靠性 高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引 ………………………………