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近期来自上海交通大学和武汉大学的研究团队在《自然》发表了论文“ 电子掺杂和空穴掺杂的Bernal双层石墨烯中的可调超导电性 ”(Tunable superconductivity in electron- and hole-doped Bernal bilayer graphene),欢迎阅读文章了解详情。 基于石墨烯的高质量二维电子系统已成为研究超导电性的理想平台。具体而言,前人在电子掺杂和空穴掺杂的转角石墨烯莫尔系统中都观察到了超导电性。但对于结晶石墨烯系统而言,目前仅在空穴掺杂的菱方堆垛三层石墨烯(RTG)和空穴掺杂的Bernal堆垛双层石墨烯(BBG)中观察到了超导电性。 近期有研究发现,BBG与单层WSe 2 之间的近邻效应增强了其超导电性。来自上海交通大学和武汉大学的研究团队通过静电掺杂,在电子掺杂和空穴掺杂的BBG/WSe 2 器件中观察到了超导电性和一系列味对称性破缺相。 论文表2:空穴掺杂超导电性
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