三星3nm：Galaxy S25全球首发！

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  半导体行业圈 振兴国产半导体产业！ 5月22日消息，据媒体报道，三星将在2024年下半年开始大规模量产3nm Exynos处理器，命名为Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首发搭载。 资料显示，去年台积电率先量产商用3nm制程，由苹果A17 Pro、M4首批搭载。 三星曾多次表示将在其移动芯片组中采用 Gate-All-Around 技术，从而有可能在与台积电的竞争中占据优势。 时隔一年时间，高通、联发科也将拥抱3nm制程，今年下半年，高通骁龙8 Gen4、联发科天玑9400等都将切入台积电3nm工艺。 现在三星即将推出3nm芯片Exynos 2500，在3nm制程上，三星率先应用了全环绕栅极工艺（GAA，全称Gate-All-AroundT），打破了FinFET技术的性能限制。 具体而言，三星3nm GAA工艺通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能。与5nm制程相比，三星3nm GAA工艺可以使功耗降低4 ………………………………