上海交通大学杨睿教授团队ACS Nano：基于2D异质结存储选择器的一选择器一电阻集成存储单元

主要观点总结

本文介绍了一种基于二维材料非对称异质结的存储选择器，并将其与RRAM集成形成1S1R单元。该选择器具有高非线性和非对称I-V特性，可有效解决RRAM交叉阵列中的潜行路径漏电流和IR drop问题。通过电路级仿真，证明了该选择器在高密度存储阵列中的优势，提高了读写裕度，降低了读写功耗，并避免了写入失败。该研究成果为构建面向高密度存储器和存内计算的3D交叉点阵列提供了前景。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景及目的

随着大规模和高密度存储器的需求增长，RRAM的潜行路径漏电流和IR drop问题成为挑战。研究旨在解决这些问题，提高存储器的性能和可靠性。

关键观点2: 二维材料选择器的设计

采用非对称异质结存储选择器，基于MG/WS2/Pt结构，通过设计2D材料的能带结构和研究电子传导机制，满足1S1R阵列中RRAM置位和复位过程的不同要求。

关键观点3: 选择器的性能特点

该选择器具有高非线性（大于120）和非对称I-V特性，能够成功抑制漏电流，并提供自限制电流，适应RRAM的置位和复位过程。

关键观点4: 电路级仿真与优势

通过电路级仿真，证明了该选择器在高密度存储阵列中的优势，包括增加读写裕度、降低读写功耗、避免写入失败等。该结构为构建面向高密度存储器和存内计算的3D交叉点阵列提供了优异前景。

关键观点5: 文献信息

该研究成果已发表在ACS Nano上，文献链接提供二维材料单晶、薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务。

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