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据悉,SK海力士计划于今年第三季度供应12层HBM3E产品。12层HBM4(第六代)计划于2025年下半年推出,16层版本预计将于2026年投入生产。 随着人工智能的蓬勃发展,对高算力、高存储需求的增长,HBM正展现出广阔的发展前景,但同时也面临技术难题、产能不足等挑战。近日,SK海力士负责良率的副总裁Kwon
Jae-soon在接受英国《金融时报》采访时表示,“我们已成功将HBM3E芯片量产所需的时间缩短了50%。这些芯片的良率已几乎达到80%的目标。” 这是SK海力士首次公开披露HBM3E的产量信息。此前,业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%-70%之间。 目前,全球HBM市场被三大原厂占据,其中SK海力士技术领先,占据市场主导地位。SK海力士是英伟达HBM3内存唯一供应商,并于3月份开始量产最新一代HBM3E。 目前,美光科技和三星等竞争供应商正在开发自己的HBM产品,以争夺SK
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