三星首款3nm可穿戴芯片发布：性能提升370%，采用FOPLP+ePoP封装

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7月4日消息，虽然自研的3nm手机芯片 Exynos 2500似乎因为良率问题出现了推迟，但是近日三星电子 通过其官网正式正式推出了旗下 首款3nm GAA制程的可穿戴设备芯片 Exynos W1000。 据介绍， Exynos W1000 是三星首款采用 3nm GAA先进工艺节点的处理器。 得益于其制造工艺和封装方法，芯片的性能在保持小尺寸的同时提高，可以为设备提供更多的电池空间，从而延长续航。 为了 更 快地在应用程序之间切换， Exynos W1000采用了全新 CPU 架构，即 一个 1 .6GHz  Cortex-A78高性能内核  + 四个1.5GHz  Cortex-A55效率内核，这也是 三星首款使用大核心的可穿戴处理器，并且效率内核相比上代的 Exynos W930也提升了一倍， 可提供令人印象深刻的性 能增幅。 三星表示， 新架构带来了超出预期的性能，单核和多核基准测试分别显示出高达340%和370%的改进。 这种 性能增幅相比上代芯 ………………………………