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本文 由作者团队受邀撰写 ! 一、研究背景: 随着纳米电子学的发展,具有稳定和可切换电偶极矩的二维材料成为了研究热点。这些材料在存储器、传感器、逻辑器件等领域展现出巨大的应用潜力。然而,大多数二维材料在极薄状态下难以维持稳定的极化状态,限制了其在高性能电子器件中的应用。但大多数铁电体通常由不同元素形成的正负电荷中心组成,这不可避免地会在极性翻转的过程中导致成分和元素偏析。而单质铁电材料将最大限度地减少元素偏析,并增强结构的稳健性。因此,获得可靠的单质极性是非常有意义的,但却具有很大的挑战性。 最近,理论预测指出在 Ⅴ 族(P、As、Sb、Bi)材料中存在二维单质铁电体,并在2023年在单层类黑磷 Bi中被实验证实。遗憾的是,铋是一种无带隙、高活性的半金属,存在环境不稳定和电路中漏电流
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