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▲第一作者：Jie Shen、Areej Aljarb、Yichen Cai、Xing Liu、Jiacheng Min 通讯作者：Yu Han、Lain-Jong Li、Ingo Pinnau、Guosheng Shi、Vincent Tung 通讯单位：华南理工大学， 沙特阿拉伯阿布杜拉科技大学、南洋理工大学 、香港大学、上海大学 、 台湾桃园长工大学 、东京大学 论文doi：10.1126/science.ado7489 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     背景介绍 二维（2D）材料因其原子级厚度和高表面积，被认为是开发高性能分离膜的理想平台。然而，传统方法（如离子辐照、化学蚀刻等）难以在二维材料上大规模制造均匀的亚纳米级孔隙，导致分离膜的选择性和渗透性受限。 二硫化钼（ MoS₂ ）作为一种典型的二维过渡金属硫化物，其晶界（ Grain Boundaries, GBs ）处的结构缺陷可能形成特定尺寸的孔隙。 本文通过精确控制 MoS₂ 晶粒的取向和尺寸，在晶界处生成大量八元环（ ………………………………