上大-尹鑫茂团队︱综述：基于高性能 2D-TMD 的器件的接触电阻和界面工程

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本文来源于上海 大学官网 ！ 一、研究背景：   随着对更高性能和更多功能应用需求的持续增长，传统半导体材料的局限性日益凸显，特别是在器件小型化、功耗控制和运行速度等方面。因此，迫切需要探索新型材料和器件架构，以突破这些瓶颈。二维过渡金属硫属化合物（2D-TMD）材料因其特殊的层状结构和优异的电子、光学、机械性能成为了追求材料和器件创新的过程中的最优选择之一，并被广泛应用于各类新型电子和光电子器件中。然而，金属与2D-TMD材料接触后产生的高接触电阻严重限制了器件的整体性能，这主要源自界面处的肖特基势垒和电荷注入屏障。如何有效降低这一接触电阻并优化界面电荷传输成为研究的核心问题， 界面工程由此成为提升器件性能的关键研究方向。 二、文章简介： 近日，理学院物理系上海市高温超导重点实验室 ………………………………