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三维单片Monolithic three-dimensional (M3D)集成技术，正越来越多地采用在半导体工业，作为传统硅通孔技术的替代方案，以增加堆叠的异质电子元件密度。三维单片M3D集成，还可提供晶体管级分区和材料异质性。然而，很少有非硅材料的大面积三维单片M3D集成演示。 今日，美国 宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）Subir Ghosh，Saptarshi Das等，在Nature Electronics上发文，报道了利用互连 (I/O) 密度为每平方毫米62,500 I/O的密集导通孔间结构的二维材料异质三维单片M3D集成。 这种三维单片M3D堆栈，主要由第二层tier 2 中的石墨烯化学传感器和第一层tier 1中的二硫化钼(MoS2) 忆阻晶体管MemTransistor可编程电路组成，每层中有500多个器件。 这种工艺，实现了传感器和计算元件之间物理接近度降低到50nm，从而降低近邻传感器计算应用中的延迟。这一制造工艺，
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