主要观点总结
台积电计划于明年下半年开始使用其N2（2纳米级）制程技术进行半导体的量产。目前，公司正在全力优化这项技术以提高良率，包括降低工艺中的变异性和缺陷密度。最近，台积电团队成功将测试芯片的良率提升了6%，为客户节省了数十亿美元的成本。此外，台积电的N2制程技术将使用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，具有降低功耗、提高性能和增加晶体管密度等优点。预计N2制程技术的芯片在功耗、性能和晶体管密度方面将比现有的N3E制程技术有显著提升。台积电预计在2025年下半年开始N2工艺芯片量产。
关键观点总结
关键观点1: 台积电计划使用N2制程技术进行半导体量产
台积电正在全力优化其N2制程技术，旨在提高良率并降低工艺中的变异性和缺陷密度。
关键观点2: 台积电团队成功提升测试芯片良率
台积电员工透露团队已成功将测试芯片的良率提升6%，为客户节省了数十亿美元的成本。
关键观点3: 台积电的N2制程技术采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管
这种新技术能够降低功耗、提高性能和增加晶体管密度，为未来的芯片制造带来革新。
关键观点4: N2制程技术的优势
相比N3E制程技术，N2制程技术的芯片在功耗、性能和晶体管密度方面预计有显著提升。
关键观点5: 台积电计划在2025年下半年开始N2工艺芯片量产
为此，台积电还有充足的时间进一步提高良率和降低缺陷密度。
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报名倒计时！ 台积电计划在明年下半年开始使用其 N2 （ 2 纳米级）制程技术进行半导体的量产，目前公司正全力优化这项技术，包括降低工艺中的变异性和缺陷密度，从而提高良率。一位台积电员工最近表示，团队已经成功将测试芯片的良率提升了 6% ，为客户节省了“数十亿美元”的成本。 X 平台网友Dr. Kim（@I_loves_deep_nn）自称是台积电员工，但未透露改善的是 SRAM 测试芯片还是逻辑测试芯片的良率。外媒Tot's Hardware认为，台积电明年1月才开始提供2纳米技术的shuttle测试晶圆服务，现在不太可能改善2纳米制造最终实际芯片原型的良率。 提升 SRAM 和逻辑测试芯片的良率至关重要，因为这最终可以显著降低客户成本。 客户支付晶圆费用，因此更高的良率直接关系到他们的经济效益。 台积电的N2将是其首个使用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的工艺，
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