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在半导体中，绝对导带带边的氧化还原电势absolute band-edge potentials及其相对于溶液氧化还原电势的位置，经常用于光电化学器件和粒子光催化剂的设计原则。 近日，美国 俄勒冈大学（University of Oregon）Aaron J. Kaufman，Shannon W. Boettcher等，在Nature Catalysis上发文，表明了这些设计标准并不是必要的，并且还限制了光电化学、光化学和光催化领域的材料探索。 还讨论了导带带边能量如何不是奇异参数，而是随着pH、电解质类型和表面化学而移动。正是电子和空穴的自由能，决定了整个反应的自发性和反应性，而并不是溶液氧化还原对的自由能。即使当相关的电解质氧化还原电势出现在带隙之外时，也可以发生有利的电荷转移动力学，这一实现归因于在半导体表面的电子电荷反转或积累。 这一讨论，提供了光催化系统工程的设计原理，用于单电子和多电子
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