西湖大学，Nature Nanotechnology!

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▲第一作者：Hyunseok Kim 通讯作者：Yunfeng Shi，Suklyun Hong，Wei Kong，Jeehwan Kim 通讯单位： 西湖大学，美国伦斯勒理工学院，美国麻省理工学院，韩国世宗大学 DOI： https://doi.org/10.1038/s41565-023-01340-3 0 1 研究背景 层转移技术作为降低成本和形成异质集成器件的一种途径，在半导体器件制造中得到了广泛的探索。这些技术需要将外延层从昂贵的供体晶圆中分离出来从而形成独立的膜。然而，目前的层转移过程仍然是低通量的，而且太昂贵，不适合在商业上使用。 0 2 研究问题 本研究报告了一种高通量的层转移技术，它可以从单一的晶圆上生产多个化合物半导体膜。使用外延工具在III-N和III-V基底上直接生长二维（2D）材料，这使得一个由多个交替的2D材料层和外延层组成的方案可以通过一次生长形成。然后，通过逐层机械剥离来获取多层结构中的每个外延 ………………………………