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根据韩国媒体ZDNet Korea 的报导，三星第五代10 纳米级（1b） 制程DRAM 存储芯片良率未达业界80%~90% 的一般目标，这使得三星已于上个月开始，成立专门工作小组来进行解决。 三星是在于2023 年5 月宣布第五代10 奈米级（1b） 制程16Gb DDR5 存储芯片开始量产，后又于2023 年9 月宣布第五代10 奈米级（1b） 制程的32Gb DDR5 存储器开发成功。这代表着三星可在不使用TSV 矽穿孔技术的情况下，就能生产128GB 容量的高密度DDR5 RDIMM 存储器模组。 因为相较于采用TSV 矽穿孔的3DS DIMM 记忆体，这种不使用TSV 矽穿孔技术的存储器模组功耗减少10%，制造成本也显着降低。所以，第五代10 奈米级（1b） 制程的32Gb DDR5 记忆体颗粒被三星电子视为未来的主力产品。现在，三星成立专门工作组，目的就是迅速提升良率，能在市场上具备竞争力。 三星电子还决定积极扩大第五代10 nm级
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