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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202307728?saml_referrer 近日，國立清華大學工學院材料科學工程學系闕郁倫教授团队研究探索出了基于二维半导体（N型半导体MoS 2 和P型半导体WSe 2 ）的大面积单片3D集成方案，文章详细的叙述了大面积器件集成的制备工艺，在对单个器件表征的基础上，以典型的反相器为例论述了其大面积集成方案的可靠性和有效性，这将为未来二维半导体投入生产实用打下基础。 文章中基础器件参数的提取与表征值得学习，另外文章还给出了很多详细的工艺参数，对于材料和器件工艺研究人员可借鉴学习。 摘要 本文成功展示了集成 M3D 反相器的结构，其中化学气相沉积 (CVD) 合成的单层 WSe 2 p 型纳米片 FET 通过半导体工业技术（例如转移、电子束蒸发 (EBV) 和等离子蚀刻工
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