三星完成HBM4逻辑芯片设计，将采用4nm试产

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近日，据朝鲜日报称，三星电子的存储业务部门（DS部门）成功完成了HBM4内存逻辑芯片的设计，并交由Foundry业务部采用4nm工艺进行试产。 三星在 HBM3E（第五代 HBM）市场落后于SK Hynix，正计划通过采用先进工艺最大限度地提高 HBM4 的性能。SK 海力士据说正在采用台积电的 5nm 工艺生产逻辑芯片。 HBM3E主要通过将DRAM堆叠并连接到客户的图形处理器（GPU）来实现高带宽内存的功能，而HBM4则在此基础上进行了进一步的优化和创新。 HBM4的一个关键变化是其底部逻辑芯片的制造方式。与HBM3E仅依赖存储器厂商自身工艺不同，HBM4的逻辑芯片将采用代工工艺，由晶圆代工厂生产。这意味着HBM4的基础芯片不再由内存制造商独立完成，而是需要与逻辑晶圆厂合作，以支持更多的信号引脚、更大的数据带宽以及客户定制功能。例如，SK海力士计划采用台积电的先进逻 ………………………………