【专利】芯联集成“半导体器件的制备方法及半导体器件”专利获授权；华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布

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1、芯联集成“半导体器件的制备方法及半导体器件”专利获授权 2、华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布 3、华络电子“一种模块化电感”专利获授权 4、积塔半导体“极板电容器及其制造方法、半导体结构”专利公布 1、芯联集成“半导体器件的制备方法及半导体器件”专利获授权 天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，授权公告号为CN118073206B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2024年4月22日。 本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，属于半导体技术领域。半导体器件的制备方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层中包括第一器件区，第一器件区中包括漂移区和体区；在部分漂移区的表面形成场氧化层；形成从场氧化层的表面延伸至漂移区 ………………………………