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韩媒 The Elec 当地时间本月 16 日报道称,三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片(注:Tape-out),为明年底的 12 层堆叠 HBM4 产品量产做准备。 考虑到从流片到测试产品的推出还需要 3 到 4 个月的时间,三星电子的 HBM4 12H 样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺,改进后的样品将向主要客户出样。 韩媒在报道中确认,三星电子将在 HBM4 内存上采用1c nm 制程 DRAM 颗粒和4nm 制程逻辑芯片,以提升产品能效表现,也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。 三星电子的这一决定也对其在 HBM 市场上的主要竞争对手 SK 海力士产生了影响: SK 海力士 HBM 开发团队的一位匿名人士称,SK 海力士原计划在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 颗粒,但在得知三星电子的 HBM4 方案后,SK 海力士内部正就其 HBM4 产品是否转向 1c nm DRAM 进
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