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根据《韩国经济新闻》(The Korea Economic Daily)报导,三星今年将推高频宽存储器(HBM)的3D 封装服务。 三星去年宣布将推出3D AI 芯片封装「SAINT」(三星先进互连技术)平台,包括三种技术:垂直堆叠SRAM 和CPU 的「SAINT-S」,CPU、GPU 等处理器和DRAM 存储芯片垂直封装的「SAINT-D」,以及应用处理器(AP)等逻辑芯片堆叠的「SAINT-L」,预计今年上线。 三星一直在开发SAINT-D 技术,看来将于今年进入黄金期。三星的新3D 封装是在处理器上头垂直堆叠HBM 芯片,与透过硅基中介层水平连接HBM 芯片和GPU 的2.5D 技术(I-CUBE)不同。垂直堆叠不需要硅中介层,但需要更复杂的制程,制造新的HBM 存储器基础芯片(base die)。 3D 封装能使数据传输更快、讯号更清晰、功耗及延迟性降低,但相对的成本更高。三星计划以Turnkey 服务形式提供先进的3D HBM 封装技术,由记忆
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