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海归学者发起的公益学术平台 分享信息，整合资源 交流学术，偶尔风月 铁电体可通过外部电场编程出非易失极化态，在非易失存储器（NVM）和存内计算领域展示出巨大的潜力。然而，钙钛矿铁电体的互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容性差和多相共存的铪基铁电体在尺寸缩放后铁电性能的不均匀性等一直是阻碍铁电器件实际应用的棘手问题。新兴的铁电AlScN为规避这些困境提供了机会。 近日，华东师范大学田博博教授与朱秋香副教授团队在 Nano-Micro Letters 期刊（2023 IF: 31.6 ）上以“ New-Generation Ferroelectric AlScN materials ”为题发表了综述，详细讨论了铁电AlScN薄膜的铁电机理和畴动力学，全面总结了AlScN薄膜的不同制备技术和相应的性能优化策略，分析了其在存储和存算一体中的应用，并对铁电AlScN的商业前景和挑战进行了展望。该工作华
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