闪存突破300层！

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韩国存储器大厂 SK海力士于21日宣布，开始量产全球最高的321层堆叠1Tb TLC 4D NAND Flash 闪存。 SK海力士表示，从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器，突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起，开始向客户提供321层堆栈的产品，以此因应市场的需求。 SK 海力士强调，在此次产品开发过程中采用了高生产效率的 3-Plug 制程技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺，随后经过优化的后续工程，将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形的材料，并引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。 另外，技术团队也将上一代238层堆叠NAND Flash闪存的开发平台，应用于321层堆叠的产品上，由此最大限度地减少了制程的变化。与上一代产品相比，其生 ………………………………