浙大-邓人仁团队︱ACS Nano：合金上转换纳米晶中痕量镧系杂质诱导的显著发光调控

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本文由作者团队受邀撰写 ！ 一、研究背景：   在半导体材料与传统荧光粉领域，微量杂质对材料性能的调控作用举足轻重。硅材料中ppm级（百万分之一）的杂质即可导致其导电性变化达数个数量级；荧光材料中痕量杂质的存在则会显著改变发光效率与光谱特性。然而，当前针对镧系上转换纳米晶（LnNCs）的研究多聚焦于通过调控纳米晶结构或消除羟基/空位等缺陷来优化性能，却忽视了原料提纯工艺中难以避免的镧系杂质陷阱效应——由于稀土元素化学性质高度相似，即使99.9%-99.99%纯度（3N-4N）的原料仍含百ppm级杂质，这些"隐形"杂质可能作为能量陷阱干扰发光过程。 二、文章简介： 针对上述问题，浙江大学材料科学与工程学院 邓人仁 教授课题组创新性提出基于痕量镧系杂质精准调控的上转换发光性能优化策略。 研究突破性采用99.999%-99.9999%（5N- ………………………………