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在晶格 (不) 匹配的衬底上进行外延生长促进了人们对半导体的理解，并实现了III-V基发光二极管等高端技术。然而，对于金属卤化物钙钛矿，在薄膜异质外延生长方面存在知识空白，阻碍了新应用的发展。鉴于此，2025年1月16日 特温特大学 Junia S. Solomon Morales-Masis 于Nature Synthesis刊发脉冲激光沉积室温外延α- CH 3 NH 3 PbI 3 卤化物钙钛矿的研究成果 ，展示了在室温下通过脉冲激光沉积在晶格匹配的KCl衬底上外延生长立方 (α)-CH 3 NH 3 PbI 3 薄膜。通过倒易空间映射、X 射线衍射极图、电子背散射衍射和光致发光证实了α- CH 3 NH 3 PbI 3 的外延稳定性。证明了15 nm厚的薄膜的带隙为1.66 eV，稳定超过300天，Urbach能量为12.3meV。应变对α相稳定性的影响得到了第一原理密度泛函理论计算的证实，该计算还预测了相当大的带隙可调性。这项工作展示了脉冲激光沉积在金
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