我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

主要观点总结

我国成功在太空验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，这是第三代半导体材料牵引我国航天电源升级换代的重要一步。碳化硅功率器件的优势在于能够满足空间电源系统的高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。

关键观点总结

关键观点1: 我国成功在太空验证国产碳化硅功率器件

这一验证代表了我国在第三代半导体材料领域的突破，为航天电源升级提供了重要支持。

关键观点2: 碳化硅功率器件的优势

碳化硅功率器件能够满足空间电源系统的高能效、小型化、轻量化需求，是新一代航天技术发展的核心驱动力。

关键观点3: 第三代半导体材料的重要战略意义

以碳化硅为代表的第三代半导体材料对我国制造业的转型升级具有驱动作用，并有望牵引航天电源的升级换代。

文章预览

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。 业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统 ………………………………