5步法克服碳化硅制造挑战

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本文 作者：Catherine De Keukeleire，可靠性与质量保证总监，宽禁带， 安森美(onsemi) 几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。 随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。 图1 -宽禁带材料的物理特性 这些特性意味着宽禁带材料的特性更像绝缘体，能够在更高的电压、频率和温度下工作。因此，它们非常适合用于电动汽车（EV）和可再生能源等领域的功率转换应用。 碳化硅（SiC） 碳化硅（SiC）并非新鲜事物，作 ………………………………