石墨烯制备方法新突破 再发Nature!!!

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0 1 【科学背景】 自首次在Cu上实现CVD石墨烯生长以来，人们在该过程的理解、控制和放大方面取得了许多进展。精细结构研究通过同位素标记和原位监测等技术提供了对生长过程的理解，并证明了对成核密度和生长速率等关键因素的控制。该工艺的初步展示引起了人们的极大兴趣，作为放大制造的途径，随后的进展包括卷对卷加工的发展、晶体衬底上的外延生长、原位Cu沉积和褶皱/褶皱的控制。 尽管取得了许多进展，但仍然缺乏对CVD生长过程的基本理解和控制。例如，虽然实验上已经确定了生长速率随CH 4 浓度的增加而增加，随H 2 浓度的增加而降低，但目前还没有一个公认的生长动力学定量模型可以用来指导合成。同样，影响石墨烯质量的基本过程仍然不清楚。化学气相沉积(CVD)法在铜上合成石墨烯自首次演示以来得到了广泛的应用。 然而，CVD ………………………………