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硅场效应晶体管field-effect transistors (FETs)中的源极和漏极区下方，沟道的简并掺杂工艺，通过降低接触电阻，可用于创建高性能n型和p型器件。相比之下，二维半导体取决于金属功函数工程。因为费米能级钉扎发生在导带附近，这种方法产生了有效的n型2D场效应晶体管，但是对于p型场效应晶体管，却是极具有挑战性的。 近日，美国 宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）Mayukh Das, Dipanjan Sen，Saptarshi Das等，在Nature Electronics上发文，报道了二硒化钼和二硒化钨的简并p型掺杂——通过钒、铌和钽的置换掺杂substitutional doping实现——可以将多层膜中的接触电阻，降低到95Ωµm。 研究发现，由于较强的量子限域效应，掺杂有效性及其静电控制的影响，在较薄级层中逐渐降低。 这一研究，开发了一种高性能的p型二维二硒化钼场效应晶体管FET，利用逐
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